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　　三洋電機は，発振 波長405nmの青紫色半導體レーザと同660nmの赤色半導體レーザ，同785nmの赤外半導體レーザを1つのパ ッケージに格納した，いわゆる3波長レーザを開発 した。3波長レーザの開発発表はソニーに続き2社目で ある。

　　「Blu-ray Disc」や「HD DVD」といった次世代光ディスク裝置の大半 は，現(xiàn)行DVDや同CD系の媒 體にも対応すると見られている。それを実現(xiàn)するには，次世代用の青紫，DVD用の赤，CD用の赤 外の3つの光源が必要だ。この3光源をそれぞれ別パッケージの半導體レーザで用 意していては，それぞれに対応する光學部品で光ヘッド內がいっぱいになって しまう。3波長レーザがあれば，かなりの光學部品 を共用でき，部品點數(shù)を大幅に削減できる。 ハ イブリッド型の構造を採用

　　三洋電機が開発した3波長レーザは，主に3つの點でソニーの開発品と似ている。第1には， いずれのレーザも高出力である點だ。CD，DVD，次世代光ディスクの3世代の媒體を，いずれも記録および再生が可能で ある。三洋電機の開発品におけるパルス発振時の定格光出力は，青紫色レーザ が120mW，赤色レーザが170mW，赤外レーザが220mWと高い。光ヘッドの光利用効率などによって異な るが，三洋電機はそれぞれの光出力をCD，DVD，次世代光ディスク媒體に対する記録速 度に換算して48倍速，12倍速，4倍速相當とする。ソニーの開発品の光出 力は，それぞれ120mW，150mW，200mWだった。

　　第2の共通點は，3種類の 半導體レーザ素子の一體化方法にある。三洋電機は今回，青紫色レーザ素子の 上に赤色レーザ素子と赤外レーザ素子をそれぞれ載せる，いわゆるハイブリッ ド型の構造を採用した。ソニーも同様の構造を採る。

　　第3の共通點は，青紫色レーザの基板材料に GaNを使うところである。三洋電機はこれま でもGaN基板を使う高出力の青紫色半導體レーザ を開発してきた。このGaN基板は，ハイブリッド型の3波長レーザで優(yōu)れた特性を発揮する。それは，半 導體レーザで発生した熱をヒートシンクに逃がす役割である。GaNは，ヒートシンク材料並みに高い熱伝導率を持つ ことを利用する。青紫色レーザ素子の上に実裝した赤色レーザや赤外レーザで 発生する熱が逃げやすく，熱がこもらない。 青 紫色レーザの発光點を中心に配置

　　一方で，相違點は半導體レーザの発光點の配置にある。ソニーが開発した3波長レーザは，青紫色レーザの発光點の直上に赤 色レーザの発光點を配置し，赤外レーザの発光點はズラした形だった。これに 対して三洋電機の配置は，青紫色レーザの発光點を中央にして，その左右にそ れぞれ赤色レーザと赤外レーザの発光點を置く。

　　こうすると，青紫色レーザの発光點の直上にp型電極 を設けることができ，電極構造が簡素になる。n型電極 を共通化した，一般的なカソード?コモン結線で使える。青紫色レーザ から赤色レーザ，または赤外レーザまでの発光點の間隔は約110μm。赤色レーザと赤外レーザの発光點の間隔は約220μmとなっ ている。

　　譯文對照：

　　三洋電機開發(fā)出了將振蕩波長分 別為405nm的藍紫色半導體激光、660nm的紅色半 導體激光、785nm的紅外半導體激光集成在同一個封裝內的3波長激光器。繼索尼之后第2家宣布開發(fā)出3波長激光器。

　　無論是“藍光光盤”還是“HD DVD”規(guī)格，新一代光驅大都還要支持 現(xiàn)有的DVD和CD光盤。為實現(xiàn)這一功能，就需要有新一代規(guī)格使用的藍紫 色、DVD使用的紅色和CD使用的紅外這三種光源。如采用三種光源分別封裝的半導 體激光器，則還要分別配備相應的光學元件，使得激光頭內部非常擁擠。若采用 3波長激光器的話，許多光學元件都可以實現(xiàn)共用，從而大 幅減少元件的數(shù)量。 采用混合 型結構

　　三洋電機開發(fā)的3波長激光 器與索尼產(chǎn)品相似之處主要有3點：第一 是輸出功率都很大。對于CD、DVD、新一代光盤，都可以進行刻錄 和播放。三洋電機開發(fā)的產(chǎn)品其脈沖振蕩時的額定輸出功率為：藍紫色激光為120mW、紅色激光為170mW、紅外激光為220mW。盡管激光頭的光利用效率等有所差異，但三洋電機產(chǎn)品 的光輸出功率在換算成CD、DVD、新一代光盤的刻錄速度后，分 別相當于48倍速、12倍速、4倍速。索 尼產(chǎn)品的光輸出功率則分別為120mW、150mW、200mW。

　　第二個共同點在于3種半導體激光元件的一體化方法 。三洋電機此次將紅色激光元件與紅外激光元件分別配置在藍紫色激光元件的上 面，采用了所謂的混合型結構。而索尼也同樣采用了同樣的結構。

　　第三個共同點是藍紫色激光器的底板材料均采用了GaN。三洋電機此前就一直在開發(fā)使用GaN底板的大功率藍紫色激光器。這種GaN底板在混合型的3波長激光器上顯示出了良好特性。因為它可以起到將半導 體激光器產(chǎn)生的熱量傳導至散熱片的作用。GaN具有與散熱材料相媲美的高性能熱傳導率。藍紫色激光元 件上面安裝的紅色激光器與紅外激光器產(chǎn)生的熱量比較容易散發(fā)，不會聚集起來 。 以藍紫色激光器發(fā)光點為中心進 行配置

　　但另一方面，在半導體激光 器的發(fā)光點配置方面卻不一樣。索尼開發(fā)的3波長激光器是將藍紫色激光器發(fā)光點的正上方作為紅色激 光器的發(fā)光點，與紅外激光器的發(fā)光點錯開。而三洋電機的配置則是以藍紫色激 光器發(fā)光點為中心，將紅色激光器與紅外激光器的發(fā)光點分別配置在左右。 這樣一來，就可以在藍紫色 激光器的發(fā)光點正上方設置p型電極， 簡化電極結構。n型電極采用普通的陰極共用接線 法。藍紫色激光器發(fā)光點到紅色激光器以及紅外激光器發(fā)光點的間隔約< SPAN lang=EN-US style="FONT-SIZE: 13.5pt">110μm。紅色激光器與紅外激光器的發(fā) 光點間隔約220μm。