隧道二極管（tunneldiode）
隧道二極管（tunneldiode）
肖特基二極管（Schottkydiode）
肖特基二極管（Schottkydiode）用金屬和半導體制成的面接觸二極管，具有和pn結類似的單向導電性。由于肖特基二極管的正向電流主要是由半導體中的多數載流子進入金屬所形成的，它是...
碳納米管（carbonnanotube）
碳納米管（carbonnanotube）由碳原子構成的網狀納米尺度半徑的管狀物為碳納米管，分成單層和多層碳管。碳納米管是20世紀90年代初被人類合成的一種新型人工結構材料，具有許多不同...
等電子摻雜（isoelectronicdoping）
等電子摻雜（isoelectronicdoping）與被替代的基體原子具有相同價電子結構的替代原子的摻雜。等電子雜質雖然是電中性的，但由于其原子半徑及電負性與被替代原子不同，因此產生的短...
施主（donor）
施主（donor）能夠向晶體提供電子同時自身成為正離子的雜質稱為施主雜質。當電子被束縛于施主中心時，其能量低于導帶底的能量，相應的能級稱為施主能級。施主向導帶釋放電子所需的...
受主（acceptor）
受主（acceptor）在半導體帶隙中間的能級，能夠接受電子同時自身成為負離子的雜質稱為受主雜質。被受主雜質所接受的電子的能量高于價帶頂的能量，相應的能級稱為受主能級。有些缺...
雜質能級（impuritylevel）
雜質能級（impuritylevel）半導體材料中的雜質使嚴格的周期性勢場受到破壞，從而有可能產生能量在帶隙中的局域化電子態，稱為雜質能級。對于雜質和主晶格原子價電子相差1的施（受...
雙性雜質（amphotericimpurity）
雙性雜質（amphotericimpurity）有些雜質在同一半導體中既可起施主作用，又可起受主作用，這種雜質稱為雙性雜質。雜質的雙性行為的起因可以不同。一種情況是雙性雜質在晶格中只占...
雜質（impurity）
雜質（impurity）雜質對半導體的性能起著決定性的影響。這不僅是因為在晶體的制備過程中很難避免雜質的混入，更主要的是為了控制半導體的性能制成有用的器件往往還要人為并且有控...
氫化非晶硅（amorphousSi:H）
氫化非晶硅（amorphousSi:H）含有大量硅氫鍵的非晶硅稱為氫化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氫合金，a-Si:H中含氫量達3～50。a-Si:H通常采用輝光放電法或濺射法制備，其電導及光電性質密...