直接帶隙半導體（directbandgapsemiconductor）
直接帶隙半導體（directbandgapsemiconductor）
直接帶隙半導帶中導帶極小值和價帶極大值相應于相同的波矢K0，這種半導體在本征吸收過程中，產生電子的直接躍遷，躍遷過程中，除能量守恒外，還遵循動量守恒，躍遷前后，波矢K不變。能量大于禁帶寬度Eg的光子均能被吸收而形成一個連續吸收帶。Ⅲ-Ⅴ族的GaAs、InSb等及Ⅳ-Ⅵ族化合物半導體均屬直接帶隙半導體。
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