外延（epitaxy）
外延（epitaxy）
外延是一種晶體生長(zhǎng)方法，它是在一定條件下使原子規(guī)則地排列在單晶襯底上，形成結(jié)構(gòu)完整，與襯底取向相同，并有一定厚度的單晶層的方法。外延技術(shù)既可用于生長(zhǎng)與襯底材料相同的單晶層（同質(zhì)外延），亦可用于生長(zhǎng)與襯底材料不同的單晶層（異質(zhì)外延）。由于采用的方法不同，外延又可分為固相外延、液相外延、氣相外延和分子束外延等。氣相外延普遍應(yīng)用在硅晶體管、硅集成電路和砷化鎵微波器件、砷化鎵集成電路的制造中；分子束外延在制備超晶格量子阱結(jié)構(gòu)中有重要作用。
