耿氏效應（Gunneffect）
耿氏效應（Gunneffect）
當在n型砷化鎵單晶兩端制作歐姆接觸，并加上高電場后，發現當外加電場達到每厘米幾千伏特的臨界值時，出現很強的電流振蕩現象，其頻率在微波范圍，這個現象稱為耿氏效應。耿氏效應是電子在導帶能谷間的轉移引起的。當外加電場低于臨界值時，電子主要占據在導帶中能量最低的能谷中。如果在能量差別不大的較高能量處存在另一個能谷，并且高能谷中電子的遷移率低于低能谷電子的遷移率，則當電場超過臨界值，電子從低能谷向高能谷轉移時，使電子的平均遷移率降低，從而表現出負微分電阻。
