耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件（Gunndevice）
耿氏器件是利用耿氏效應(yīng)制作的一種能產(chǎn)生微波振蕩的負阻器件。1963年Gunn首次報道了n型砷化鎵單晶具有負阻特性的實驗結(jié)果，證實了兩年前Ridley等從理論上預期獲得半導體負阻特性的可能性。此后人們開發(fā)出了具有實用價值的耿氏器件。耿氏器件除了可由砷化鎵材料制作，也可用磷化銦、碲化鎘、硒化鋅或某些三元合金材料制備，其中砷化鎵最易制成高純材料，應(yīng)用最廣。
