半導(dǎo)體激光器（semiconductorlaser）
半導(dǎo)體激光器（semiconductorlaser）
半導(dǎo)體激光器是全部由半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)光學(xué)受激輻射的半導(dǎo)體光電子器件。半導(dǎo)體激光器一般由Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體多量子阱結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)形成的pn結(jié)構(gòu)成，由具有不同光學(xué)常數(shù)的半導(dǎo)體多層膜形成光學(xué)共振腔，以實(shí)現(xiàn)光量子放大，由pn結(jié)電注入形成導(dǎo)帶價(jià)帶內(nèi)的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，形成受激輻射。半導(dǎo)體激光器在光通訊，光存儲技術(shù)中廣泛應(yīng)用，是現(xiàn)代信息技術(shù)的基礎(chǔ)。
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