高電子遷移率晶體管（highmobilitytransistor）
高電子遷移率晶體管（highmobilitytransistor）
利用異質(zhì)結(jié)或調(diào)制摻雜結(jié)構(gòu)中二維電子氣高遷移率特性的場效應(yīng)晶體管。其低溫、低電場下的電子遷移率比通常高質(zhì)量的體半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管高1000倍，可實(shí)現(xiàn)高速低噪音工作。
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