結型場效應晶體管（junctionfieldeffecttransist
結型場效應晶體管（junctionfieldeffecttransistor(JFET)）
結型場效應晶體管（JFET）是通過外加柵極電壓來改變柵極空間電荷區的寬度，從而控制溝道導電能力的一種場效應器件。源極和漏極之間的導電溝道是導電率相當低的半導體材料。柵極與下面的導電半導體之間存在整流結。JFET的柵極一般都加反向偏壓，且柵結的耗盡層主要向溝道區擴展。改變柵結電壓可以控制柵結耗盡區寬度，以改變導電溝道寬度，從而控制輸出漏電流，在某一高反偏壓下，溝道最終可被夾斷。這類晶體管平常處于導通狀態，在高反偏壓下又可夾斷。JFET已廣泛使用于小信號放大器、電流限制器、電壓控制電阻器、開關電路和集成電路中。如果柵結為肖特基勢壘結，這就制成肖特基勢壘場效應管（MESFET）。這種場效應管的跨導高、工作頻率高，是微波領域里的熱門器件。由于GaAs中電子遷移率比硅中大5倍，峰值漂移速度大1倍，所以GaAsMESFET發展迅速。
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