場效應晶體管（fieldeffecttransistor(FET)）
場效應晶體管（fieldeffecttransistor(FET)）
場效應晶體管（FET）是利用輸入電壓的電場作用控制輸出電流的一種半導體器件。與雙極晶體管相比，FET有很多優點，主要是：FET是依靠多數載流子工作的器件，所以又稱單極晶體管，它沒有少子存儲效應，適于高頻和高速工作，且耐輻射性好；FET的輸入阻抗高，實際上不需輸入電流，所以在模擬開關電路、高輸入阻抗放大器、微波放大器中獲得廣泛的應用；FET的制造工藝相對比較簡單。場效應晶體管可分為結型場效應管（JFET）、肖特基勢壘柵場效應管（MESFET）和絕緣柵場效應管（MOSFET）三大類。而JFET和MOSFET又可再分為p溝道和n溝道器件。三類場效應管都有一個半導體材料的溝道（電流通路），溝道兩端各有一個電極：一個叫做源極，一個叫做漏極。各種場效應管都有一個施加控制電壓或電場的柵極。在FET工作時，柵極電壓的變化會引起導電溝道電性能變化，從而控制了源和漏之間的電流。場效應管由于輸入阻抗大，噪音小，極限頻率高抗輻射能力強和制造工藝簡單，它已廣泛應用于包括放大及數字電路在內的各種電路中。FET也是集成電路的關鍵元件之一。
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