發(fā)光二極管（lightemittingdiode）
發(fā)光二極管（lightemittingdiode）
用半導(dǎo)體材料制造的具有結(jié)型二極管結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件。目前廣泛應(yīng)用的發(fā)光二極管主要用Ⅲ-Ⅴ族二元或三元化合物制成。它主要利用pn結(jié)正向注入非平衡載流子的輻射復(fù)合而發(fā)光。除了pn結(jié)發(fā)光二極管，還有其他結(jié)構(gòu)的，例如用不同禁帶寬度的材料制成的異質(zhì)結(jié)及雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，金屬-半導(dǎo)體肖特基結(jié)構(gòu)及金屬-絕緣體-半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)。Ⅱ-Ⅵ族化合物都是寬禁帶直接帶隙材料，是理想的發(fā)光二極管材料，但由于自補償效應(yīng)等原因，大部分不能制成兩性導(dǎo)電的材料，因而尚無簡單的方法獲得pn結(jié)，這方面的研究還在繼續(xù)。
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