等電子摻雜（isoelectronicdoping）
等電子摻雜（isoelectronicdoping）
與被替代的基體原子具有相同價電子結構的替代原子的摻雜。等電子雜質雖然是電中性的，但由于其原子半徑及電負性與被替代原子不同，因此產生的短程勢起陷阱作用，能俘獲電子（空穴），并成為負電或正電中心而吸引一個空穴（電子），形成束縛激子。相鄰的等電子中心成對地相互作用，形成一系列束縛激子能級。在某些半導體材料中摻入等電子雜質，由于束縛于等電子陷阱的束縛激子是局域化的，因而使輻射復合的概率增大，發光效率有較大增加。這一原理在GaP和GaAsP發光二極管中已廣泛使用。等電子摻雜有利于提高發光效率的另一個原因是等電子陷阱束縛的激子僅包含一個電子和一個空穴，因此復合時不會產生俄歇（Auger）過程（一種非輻射復合過程）。
