摘要
半導體激光器是用半導體作為工作物質的激光器。與固體激光器不同之點在于產生激光的不是少數雜質離子，而是半導體工作物質本身。
半導體激光器
定義
【半導體激光器】（semiconductor laser）用半導體作為工作物質的激光器。與固體激光器不同之點在于產生激光的不是少數雜質離子，而是半導體工作物質本身。在外界泵浦下，使半導體中的電子由價帶（低能量態）越過禁帶（電子不存在的能態）激發到導帶（高能量態），我界激勵超過激光閾值后，在導帶和價帶之間的電子數分布造成反轉，從而形成激光。其激勵方式有P－N結注入（電激勵）、電子束激勵、光激勵以及雪崩擊穿等幾種。目前，比較成熟應用較廣的是砷化爆（GaAs）P－N結注入式激光器。結的兩個端面磨成平方表面以構成諸振腔的反射鏡，當P－N給通以大電流時，就有激光發射出來。
和其它激光器相比，半導體激光器的主要特點是：（1）體積小，重量輕8（2）功率轉換效率高；（3）有些半導體激光器可以通過溫度、摻雜量、磁場、壓力的控制，實現輸出激光波長的調諧（4）輸出功率小；（5）激光發散角大，單色性和相干性都較差；（6）輸出特性受溫度影響明顯，除砷化嫁激光器外，大多數半導體激光器均須在低溫冷卻下工作。半導體激光器的輸出波長分布在紫外到紅外區之間，它們主要用于光通信和測距等方面。
