物理性質

性狀：灰色立方晶體，六方晶系。
密度（g/mL,25/4℃）：5.5
熔點（oC）：1475
溶解性：不溶于水，溶于鹽酸、氫氟酸。

作用與用途

遵照規格使用和儲存則不會分解。
硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數小。灰色立方晶體，六方晶系，a=04422nm，c=06351nm，熔點接近于1550℃，晶體內的鍵連形式類似于Cr3Si，有金屬光澤，不溶于鹽酸、王水。
硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數小。

性質與穩定性

用作陶瓷材料、高電阻薄膜材料。

合成方法

1.硅粉與鉻粉混合后，于900～1100℃的氫氣中焙燒，冷卻后即可。或者將鉻粉和硅粉的混合物與二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均勻，于氫氣流中焙燒，SiO2及Si粉形成的揮發性SiO同原料中的Na、K逸出，得到CrSi2。
2.鉻與硅粉在真空中或在氫氣保護下共熔或燒結可得到Cr3Si（立方晶體）熔點約1710℃，Cr5Si3(四方晶體，熔點約1600℃),CrSi（立方晶體，熔點約1600℃），CrSi2及Cr3Si2。
3.48.1份粒度為１100μｍ的鉻粉與51.9份粒度為50μｍ的硅粉混合，另外將3份粒度為10μｍ的ＳｉＯ２粉與1.5份硅粉混合。兩種混合物再混勻。1100℃氫氣流中焙燒1h，再在1430℃燒10min，ＳｉＯ２及Ｓｉ粉形成的揮發性ＳｉＯ同原料中的Ｎａ、Ｋ一起逸出，得到ＣｒＳｉ２燒結體，粉細，含Ｎａ僅
0.5×10^-6，Ｋ0.1×10^-6。

貯存方法

密封于陰涼干燥處。

生態學數據

通常對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環境。

分子結構數據

1、摩爾折射率：無可用
2、 摩爾體積（m3/mol）： 無可用
3、 等張比容（90.2K）：無可用
4、 表面張力（dyne/cm）：無可用

計算化學數據

1、 疏水參數計算參考值（XlogP）：無可用
2、 氫鍵供體數量：0
3、 氫鍵受體數量：2
4、 可旋轉化學鍵數量：0
5、 拓撲分子極性表面積（TPSA）：0
6、 重原子數量：3
7、 表面電荷：0
8、 復雜度：8
9、 同位素原子數量：0
10、 確定原子立構中心數量：0
11、 不確定原子立構中心數量：0
12、 確定化學鍵立構中心數量：0
13、 不確定化學鍵立構中心數量：0
14、 共價鍵單元數量：2

安全信息

危險品標志： 有害